Transistor canal N HGTG5N120BND, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Courant de collecteur: 25A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 167W. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: 5N120BND. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45