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FQPF4N90C

Transistor canal N FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 740pF. C (out): 65pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

2.02€

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FQPF5N50C

Transistor canal N FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 80pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 18nC, faible Crss 15pF. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 263 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.60€

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FQPF5N60C

Transistor canal N FQPF5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.30€

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FQPF7N80C

Transistor canal N FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 56W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (40nC typique), Low Crss 10pF. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

5.11€

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FQPF85N06

Transistor canal N FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Id(imp): 212A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

3.15€

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FQPF8N60C

Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 965pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 365ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.23€

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FQPF8N80C

Transistor canal N FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 955pF. C (out): 100pF. Date de production: 201432. Dissipation de puissance maxi: 59W. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.24€

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FQPF9N50CF

Transistor canal N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 790pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 44W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.43€

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FQPF9N90C

Transistor canal N FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.71€

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$FQT1N60CTF$

FQT1N60CTF

Transistor canal N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 9.3 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 600V. C (in): 130pF. C (out): 19pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FQT1N60C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.75€

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FQT4N20LTF

Transistor canal N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.55A. Id (T=25°C): 0.85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 240pF. C (out): 36pF. Dissipation de puissance maxi: 2.2W. Id(imp): 3.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

0.65€

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FQU20N06L

Transistor canal N FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=100°C): 10.9A. Id (T=25°C): 17.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 68.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte (typ 9.5nC). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.91€

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FS10KM-12

Transistor canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 30A. Idss (min): na. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.32€

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FS10TM12

Transistor canal N FS10TM12, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 10A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.01€

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FS12KM-5

Transistor canal N FS12KM-5, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.05€

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FS12UM-5

Transistor canal N FS12UM-5, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.00€

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FS7KM-18A

Transistor canal N FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 1.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1380pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.69€

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G60N04K

Transistor canal N G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 200A. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V...

1.95€

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GJ9971

Transistor canal N GJ9971, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: transistor à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--80A pulse. Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.28€

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HUF75307D3

Transistor canal N HUF75307D3, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.89€

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HUF75307D3S

Transistor canal N HUF75307D3S, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AA ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 250pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75307D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.97€

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HUF75344G3

Transistor canal N HUF75344G3, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Dissipation de puissance maxi: 285W. Fonction: Régulateur à découpage. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.46€

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HUF75344P3

Transistor canal N HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. : 'enhanced'. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Courant de drain: 75A. Dissipation de puissance maxi: 285W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 285W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.53€

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HUF75645P3

Transistor canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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