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Nous vous proposons une sélection de 533 produits pouvant correspondre à votre recherche de "transistor j107" (Transistors bipolaires PNP)

MJ2955

MJ2955

Transistor PNP MJ2955, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Applications de commutation et d'amplification. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N3055. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

2.60€
Quantité en stock: 43
MJ2955G

MJ2955G

Transistor PNP MJ2955G, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Marquage du fabricant: MJ2955G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +200°C...

11.84€
Quantité en stock: 69
MJD45H11G

MJD45H11G

Transistor PNP MJD45H11G, D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 90 MHz. Marquage du fabricant: J45H11. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

2.36€
Quantité en stock: 41
MJE15031

MJE15031

Transistor PNP MJE15031, TO-220, 8A, TO-220, 150V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence: 70MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

1.53€
+5 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 45
MJE15031G

MJE15031G

Transistor PNP MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -150V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Bande passante MHz: 30MHz. Conditionnement: tube en plastique. Courant maximum 1: -8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 20. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15030G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension base / collecteur VCBO: -150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

2.34€
+16 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 37
MJE15033G

MJE15033G

Transistor PNP MJE15033G, -250V, TO-220, 8A, TO-220, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Bande passante MHz: 30MHz. C (out): 2pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: -8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE15033G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15032. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: -250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

2.55€
+200 rapidement
Quantité en stock: 4
MJE15035G

MJE15035G

Transistor PNP MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. RoHS: oui. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Vebo: 5V...

2.32€
Quantité en stock: 60
MJE210G

MJE210G

Transistor PNP MJE210G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 120pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 65MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Vebo: 8V...

0.67€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 496
MJE253G

MJE253G

Transistor PNP MJE253G, -100V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 200pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Fréquence maxi: 40 MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 15W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE243. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

0.76€
+282 rapidement
Quantité en stock: 64
MJE2955T

MJE2955T

Transistor PNP MJE2955T, TO-220, -70V, 10A, TO-220AB, 60V, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -70V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Fréquence maxi: 4MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: MJE2955T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V...

0.95€
+397 rapidement
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Quantité en stock: 78
MJE2955T-CDIL

MJE2955T-CDIL

Transistor PNP MJE2955T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Vebo: 5V...

0.74€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 78
MJE2955TG

MJE2955TG

Transistor PNP MJE2955TG, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Marquage du fabricant: MJE2955TG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C...

1.31€
Quantité en stock: 15
MJE350

MJE350

Transistor PNP MJE350, TO-126 (TO-225, SOT-32), -300V, 0.5A, TO-126, 300V, 500mA, TO-126, 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. FT: 10 MHz. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 30. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE350. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 20W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Série: MJE350. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 4.87k Ohms. Tension base / collecteur VCBO: -300V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Switching. Vcbo: 300V. Vebo: 3V...

0.52€
+565 rapidement
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Quantité en stock: 92
MJE350-ONS

MJE350-ONS

Transistor PNP MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 7pF. C (out): 110pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. Equivalences: KSE350. FT: 10 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: PNP. Vebo: 3V...

0.88€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 108
MJE350-ST

MJE350-ST

Transistor PNP MJE350-ST, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier plastique. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Vebo: 3V...

0.76€
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Quantité en stock: 72
MJE350G

MJE350G

Transistor PNP MJE350G, -300V, TO-126, -0.5A, TO-225, 300V, 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 10MHz. Marquage du fabricant: MJE350G. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 20W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: Transistor de puissance...

1.18€
+65 rapidement
Quantité en stock: 1070
MJE5852G

MJE5852G

Transistor PNP MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 450/400V. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur: -8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: MJE5852G. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 80W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: Transistor de puissance...

6.69€
+4 rapidement
Quantité en stock: 69
MJL1302A

MJL1302A

Transistor PNP MJL1302A, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 25. Vcbo: 260V. Vebo: 5V...

8.19€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 83
MJL21193

MJL21193

Transistor PNP MJL21193, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 500pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21194. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

8.20€
+25 rapidement
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