Transistor PNP MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V

Transistor PNP MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.31€
5-24
2.03€
25-49
1.81€
50-99
1.62€
100+
1.37€
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Transistor PNP MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -150V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Bande passante MHz: 30MHz. Conditionnement: tube en plastique. Courant maximum 1: -8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 20. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: PNP. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15030G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension base / collecteur VCBO: -150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:52

Documentation technique (PDF)
MJE15031G
36 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
-150V
Boîtier
TO-220
Courant de collecteur
8A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
150V
Bande passante MHz
30MHz
Conditionnement
tube en plastique
Courant maximum 1
-8A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
30 MHz
Fonction
pour amplificateur audio
Fréquence maxi
30MHz
Gain hFE maxi
40
Gain hFE min.
20
Gain hFE mini
20
Ic(puls)
16A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
PNP
Puissance
50W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJE15030G
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension base / collecteur VCBO
-150V
Tension de saturation VCE(sat)
0.5V
Type de montage
montage traversant pour circuit imprimé
Type de transistor
PNP
Type
Puissance
Unité de conditionnement
50
Vcbo
150V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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