Transistor PNP MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A
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Transistor PNP MJE5852G, 450/400V, TO-220AB, -8A, TO-220, 400V, 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 450/400V. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur: -8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: MJE5852G. Nombre de bornes: 3. Polarité: PNP. Puissance: 80W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Type de transistor: Transistor de puissance. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:50
MJE5852G
17 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
450/400V
Boîtier
TO-220AB
Courant de collecteur
-8A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
400V
Courant de collecteur Ic [A], max.
8A
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
80W
Famille de composants
transistor PNP haute tension
Marquage du fabricant
MJE5852G
Nombre de bornes
3
Polarité
PNP
Puissance
80W
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Type de transistor
Transistor de puissance
Produit d'origine constructeur
Onsemi