Rechercher "C-FT7-2-5-22"

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BC817-40-NXP

Transistor NPN BC817-40-NXP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 6C. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0406€

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BC846B

Transistor NPN BC846B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 0.1A, TO-236AB, 65V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-236AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 100MHz. C (in): 11pF. C (out): 2pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Information: -. Marquage sur le boîtier: 1B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1B. Série: BC. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

0.0455€

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Quantité en stock: 1694

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BC847A

Transistor NPN BC847A, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 1.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 1E. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1E. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.0399€

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BC847C

Transistor NPN BC847C, SOT-23 ( TO-236 ), 0.1A, SOT-23, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 4.5pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.225W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 250. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 200mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1G. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

0.0459€

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Minimum: 10

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BC868

Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 22pF. Courant de collecteur Ic [A]: 1A, 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 170 MHz. Fonction: -. Fréquence: 60MHz, 170MHz. Gain hFE maxi: 375. Gain hFE mini: 85. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: CAC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 950mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS CAC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 25V, 20V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V...

0.33€

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BC868-25-115

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 22pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 170 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 375. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: CDC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS CDC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V...

0.33€

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BCP54-16

Transistor NPN BCP54-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP54/16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP51-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.19€

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BCP55-16

Transistor NPN BCP55-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 150 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5516. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP52-16. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.16€

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BCP56-16

Transistor NPN BCP56-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP56/16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP53-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.17€

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BCX41E6327

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: transistor NPN. Applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: EKs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX42. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V...

0.19€

Quantité en stock: 226

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BF199

Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 25V. Courant de collecteur: 100mA. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Applications: RF-POWER. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 25uA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. FT: 1100 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fonction: TV-IF. Fréquence de coupure ft [MHz]: 750 MHz. Fréquence maxi: 400MHz. Fréquence: 550MHz. Marquage du fabricant: BF199. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

0.35€

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BF393

Transistor NPN BF393, TO-92, 500mA, 0.5A, 300V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 2pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: BF393. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

0.17€

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BF422

Transistor NPN BF422, TO-92, 50mA, TO-92, 250V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 1.6pF. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence: 60MHz. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF423. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

0.25€

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BF459

Transistor NPN BF459, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100mA, TO-126, 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 5.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 90 MHz. Fonction: VID-L. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 300mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V...

1.11€

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BFG591

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 7GHz. Fonction: Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V...

3.06€

Quantité en stock: 103

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BFG67

Transistor NPN BFG67, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: V3%. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS V3. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

0.68€

Quantité en stock: 95

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BFG67X

Transistor NPN BFG67X, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: %MW. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS MW. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

1.03€

Quantité en stock: 64

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BFP193E6327

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Courant de collecteur: 80mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: RCs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V...

0.40€

Quantité en stock: 65

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BFR92

Transistor NPN BFR92, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Courant de collecteur: 0.045A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (in): 0.64pF. C (out): 0.23pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.28W. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V...

0.26€

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BFR92A

Transistor NPN BFR92A, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. C (in): 1.2pF. C (out): 0.6pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 65. Marquage sur le boîtier: P2p. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS P2P. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 20V. Vebo: 2V...

0.22€

Quantité en stock: 748

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BSR14

Transistor NPN BSR14, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. FT: 350 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Marquage sur le boîtier: U8. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS U8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tf (type): 60 ns. Tr: 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V...

0.0559€

Quantité en stock: 1534

Minimum: 10

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BSR43TA

Transistor NPN BSR43TA, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (in): 90pF. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 100 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: AR4. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS AR4. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 90V. Vebo: 5V...

0.47€

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BU2525DX

Transistor NPN BU2525DX, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P(H)IS. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. C (out): 145pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: CTV-HA Hi-re. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.1V. Tf(max): 0.35us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

2.89€

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BUL45

Transistor NPN BUL45, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 12 MHz. Fonction: SMPS S-L. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 14. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

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