Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.40€
5-49
0.33€
50-99
0.29€
100-199
0.26€
200+
0.22€
Quantité en stock: 65

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Courant de collecteur: 80mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: RCs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BFP193E6327
25 paramètres
Courant de collecteur
80mA
Boîtier
SOT-143
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-143
Tension collecteur/émetteur Vceo
12V
C (in)
0.9pF
C (out)
0.28pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
580mW (total 380mW)
FT
8GHz
Fonction
UHF wideband transistor
Gain hFE maxi
140
Gain hFE mini
70
Marquage sur le boîtier
RCs
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
4
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS RCs
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Type de transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies