Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.32€
5-49
0.28€
50-99
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100-199
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Quantité en stock: 978

Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 22pF. Courant de collecteur Ic [A]: 1A, 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 170 MHz. Fonction: -. Fréquence: 60MHz, 170MHz. Gain hFE maxi: 375. Gain hFE mini: 85. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: CAC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 950mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS CAC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 25V, 20V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BC868
29 paramètres
Boîtier
SOT-89
Courant de collecteur
2A
Boîtier (selon fiche technique)
SOT89
Tension collecteur/émetteur Vceo
20V
C (out)
22pF
Courant de collecteur Ic [A]
1A, 2A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
1.35W
FT
170 MHz
Fréquence
60MHz, 170MHz
Gain hFE maxi
375
Gain hFE mini
85
Ic(puls)
3A
Marquage sur le boîtier
CAC
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Polarité
bipolaire
Puissance
950mW
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS CAC
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
25V, 20V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.5V
Type de transistor
NPN
Vcbo
32V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors

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