MJE243G
Transistor NPN MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur Ic [A], max.: 4mA. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.015W. FT: 40 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Fréquence maxi: 40MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Marquage du fabricant: MJE243G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 15W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE253. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...
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