Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.92€
5-24
0.77€
25-49
0.68€
50-99
0.62€
100+
0.53€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 46

Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

MJE3055T-FAI
26 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
Conditionnement
tube en plastique
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
75W
FT
2 MHz
Fonction
NF-L
Gain hFE maxi
70
Gain hFE mini
20
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJE2955T
Technologie
'Epitaxial-Base'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.1V
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
50
Vcbo
70V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Fairchild

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