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MJE15030G

MJE15030G

Transistor NPN MJE15030G, 150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 5V...

2.32€
+22 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 91
MJE15032G

MJE15032G

Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Bande passante MHz: 30MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. C (out): 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 16A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE15032G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 250V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

2.50€
+433 rapidement
Quantité en stock: 23
MJE15034G

MJE15034G

Transistor NPN MJE15034G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 2.5pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 30 MHz. Fonction: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15035G. Type de transistor: NPN...

2.32€
Quantité en stock: 49
MJE18004G

MJE18004G

Transistor NPN MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Applications: commutation. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Marquage du fabricant: MJE18004G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 75W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Type de transistor: Transistor de puissance...

1.77€
+45 rapidement
Quantité en stock: 211
MJE200G

MJE200G

Transistor NPN MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 65MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 8V...

1.60€
Quantité en stock: 25
MJE3055T

MJE3055T

Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 200pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: MJE3055T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V...

1.06€
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Quantité en stock: 62
MJE3055T-CDIL

MJE3055T-CDIL

Transistor NPN MJE3055T-CDIL, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Vebo: 5V...

0.76€
Quantité en stock: 89
MJE3055T-FAI

MJE3055T-FAI

Transistor NPN MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V...

0.93€
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MJE340-ONS

MJE340-ONS

Transistor NPN MJE340-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126 ( TO-225 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. Equivalences: KSE340. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L, VID.. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V...

0.87€
Quantité en stock: 45
MJE340-ST

MJE340-ST

Transistor NPN MJE340-ST, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier plastique. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 3V...

0.83€
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MJE340G

MJE340G

Transistor NPN MJE340G, 4.87k Ohms, TO-126, 0.5A, 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: 4.87k Ohms. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur: 0.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 10MHz. Marquage du fabricant: MJE340G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 20W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Type de transistor: transistor NPN...

1.18€
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Quantité en stock: 1203
MJE5742

MJE5742

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 50. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(min): 2us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 400V...

2.43€
Quantité en stock: 22
MJE800G

MJE800G

Transistor NPN MJE800G, TO-225, 4A. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: MJE800G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

0.67€
Quantité en stock: 182
MJE803

MJE803

Transistor NPN MJE803, TO-225, 4A. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: MJE803. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.86€
Quantité en stock: 41
MJF18008

MJF18008

Transistor NPN MJF18008, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: (F). Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

2.60€
Quantité en stock: 28
MJF18204

MJF18204

Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 156pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 35W. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 50. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 10V...

2.30€
Quantité en stock: 16
MJL21194

MJL21194

Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Courant de collecteur: 16A. Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (out): 6pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V...

8.20€
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