Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.27€
5-24
1.99€
25-49
1.77€
50+
1.59€
Quantité en stock: 17

Transistor NPN MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 156pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 35W. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 50. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 10V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
MJF18204
27 paramètres
Courant de collecteur
5A
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
C (out)
156pF
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
35W
FT
13 MHz
Fonction
circuits de commutation
Gain hFE maxi
35
Gain hFE mini
18
Ic(puls)
10A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance BE
50
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.83V
Tf(max)
175 ns
Tf(min)
110 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
1200V
Vebo
10V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor