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BUB323ZG

Transistor NPN BUB323ZG, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Fonction: temps de descente 625ns. Gain hFE maxi: 3400. Gain hFE mini: 500. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: 360-450V Clamping. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

BUD87

Transistor NPN BUD87, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 20 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: HV-POWER. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUF420AW

Transistor NPN BUF420AW, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: kHz. Ic(puls): 60A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Technologie: 'High Voltage Multi Epitaxial Planar technology'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 7V...

BUH1015HI

BUH1215

BUH315

Transistor NPN BUH315, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: 'Hi-res'. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BUH315D

Transistor NPN BUH315D, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 44W. FT: kHz. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 9. Gain hFE mini: 2.5. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 10V...

BUH517-ST

Transistor NPN BUH517-ST, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: 'Hi-res'. Gain hFE maxi: 6. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf (type): 190 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 10V...

BUH715D

Transistor NPN BUH715D, 10A, 700V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 57W. Fonction: 'Hi-res'. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Remarque: MONITOR. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V...

BUL128D-B

Transistor NPN BUL128D-B, 4A, 400V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: haute tension, commutation rapide. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tf (type): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V...

BUL216

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1600V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: NPN. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 9V...

BUL310

Transistor NPN BUL310, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

BUL312FP

Transistor NPN BUL312FP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 13.5. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Vebo: 9V...

BUL38D

Transistor NPN BUL38D, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: SMPS S-L. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.1V. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Vebo: 9V...

BUL39D

BUL410

Transistor NPN BUL410, 7A, 450V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: SMPS S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: commutation rapide. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUL45

Transistor NPN BUL45, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 12 MHz. Fonction: SMPS S-L. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 14. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V...

BUL45D2G

Transistor NPN BUL45D2G, TO-220, 5A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Marquage du fabricant: BUL45D2G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V...

BUL45GD2G

Transistor NPN BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V...

BUL54A

Transistor NPN BUL54A, 4A, 500V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: SMPS S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Spec info: haute vitesse. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUL6802

Transistor NPN BUL6802, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: kHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 5. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Vebo: 9V...

BUT11A

Transistor NPN BUT11A, TO-220, 450V, 5A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Applications: commutation. Courant maximum 1: 5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 83W. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 10A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 100W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: BUT11. Température: +150°C. Tension base / collecteur VCBO: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Switching. Vcbo: 1000V. Vebo: 9V...

BUT11AF

Transistor NPN BUT11AF, TO-220FP, 850V, 5A, TO-220F, 450V. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur-émetteur VCEO: 850V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Applications: commutation. Courant de collecteur Ic [A]: 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 20W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 1kV. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

BUT11AF-F

Transistor NPN BUT11AF-F, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: S-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...