Transistor NPN BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 75W. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 12V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43