Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.85€
5-24
1.56€
25-49
1.38€
50-99
1.26€
100+
1.09€
Quantité en stock: 56

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1600V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 6A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: NPN. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 9V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
BUL216
26 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
1600V
Boîtier
TO-220
Courant de collecteur
4A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
90W
Fonction
commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage
Gain hFE maxi
40
Gain hFE mini
10
Ic(puls)
6A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Polarité
NPN
Puissance
90W
Quantité par boîtier
1
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
3V
Tf(max)
720 ns
Tf(min)
450 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
1600V
Vebo
9V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics