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BFP193E6327

BFP193E6327

Transistor NPN BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Courant de collecteur: 80mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: RCs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V...

0.40€
Quantité en stock: 65
BFR106

BFR106

Transistor NPN BFR106, SOT-23, 210mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 210mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Marquage du fabricant: R7s. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V...

0.72€
Quantité en stock: 41
BFR92

BFR92

Transistor NPN BFR92, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Courant de collecteur: 0.045A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (in): 0.64pF. C (out): 0.23pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.28W. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V...

0.26€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 110
BFR92A

BFR92A

Transistor NPN BFR92A, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. C (in): 1.2pF. C (out): 0.6pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 5GHz. Fonction: Transistor large bande 5GHz (UHF-A). Gain hFE maxi: 135. Gain hFE mini: 65. Marquage sur le boîtier: P2p. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS P2P. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 20V. Vebo: 2V...

0.22€
Quantité en stock: 748
BFR92PE6327

BFR92PE6327

Transistor NPN BFR92PE6327, SOT-23, 45mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 45mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.28W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Marquage du fabricant: GFs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V...

0.29€
Quantité en stock: 5925
BFR93A

BFR93A

Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 35mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 6GHz. Fonction: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: R2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD R2. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 15V. Vebo: 2V...

0.24€
+3264 rapidement
Quantité en stock: 1640
BFR96TS

BFR96TS

Transistor NPN BFR96TS, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-37 ( TO-50 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-37 ( TO-50 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 700W. FT: 5GHz. Fonction: Amplificateur RF jusqu'à la gamme GHz pour amplificateur d'antenne.. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 25. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar RF Transistor'. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

2.22€
Quantité en stock: 76
BFS17A

BFS17A

Transistor NPN BFS17A, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Dissipation de puissance maxi: 300mW. FT: 2.8GHz. Fonction: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50mA. Marquage sur le boîtier: E2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V...

0.13€
Quantité en stock: 2554
Minimum: 5
BFS20

BFS20

Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 200mW. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v...

0.0780€
+2164 rapidement
Quantité en stock: 193
Minimum: 10
BFU590GX

BFU590GX

Transistor NPN BFU590GX, SOT-223, 200mA. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8.5GHz. Marquage du fabricant: BFU590G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 24V...

2.82€
Quantité en stock: 15
BFV420

BFV420

Transistor NPN BFV420, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 150 MHz. Fonction: transistor haute tension. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFV421. Type de transistor: NPN...

0.28€
Quantité en stock: 180
BFW30

BFW30

Transistor NPN BFW30, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-72. Boîtier (selon fiche technique): TO-72. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 1.6GHz. Fonction: VHF-UHF-A. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 100mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V...

1.40€
Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 9
BFW92A

BFW92A

Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Courant de collecteur: 0.025A. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. FT: 3.2GHz. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3.2GHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: BFW92A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V...

1.02€
+697 rapidement
Quantité en stock: 39
BFY34

BFY34

Transistor NPN BFY34, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. FT: 80 MHz. Fonction: NF/HF/S. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Type de transistor: NPN...

0.56€
Quantité en stock: 29
BSP452-Q67000-S271

BSP452-Q67000-S271

Transistor NPN BSP452-Q67000-S271, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Diode CE: oui. Equivalences: ISP452. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: miniPROFET. Type de transistor: NPN...

2.81€
Quantité en stock: 91