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BC850C

BC850C

Transistor NPN BC850C, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD 2G. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

0.0719€
Quantité en stock: 2118
Minimum: 10
BC868

BC868

Transistor NPN BC868, SOT-89, 2A, SOT89, 20V. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 22pF. Courant de collecteur Ic [A]: 1A, 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 170 MHz. Fonction: -. Fréquence: 60MHz, 170MHz. Gain hFE maxi: 375. Gain hFE mini: 85. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: CAC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: bipolaire. Puissance: 950mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS CAC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 25V, 20V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V...

0.33€
+25 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 978
BC868-25-115

BC868-25-115

Transistor NPN BC868-25-115, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 22pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 170 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 375. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: CDC. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS CDC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 32V. Vebo: 5V...

0.33€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 992
BCM847BS-115

BCM847BS-115

Transistor NPN BCM847BS-115, TSSOP6, 100mA. Boîtier: TSSOP6. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Famille de composants: paire de transistors NPN et PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Marquage du fabricant: M1. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.93€
Quantité en stock: 6407
BCP54

BCP54

Transistor NPN BCP54, SOT-223, 1.5A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

1.34€
+174 rapidement
Quantité en stock: 44
BCP54-16

BCP54-16

Transistor NPN BCP54-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP54/16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP51-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Vebo: 5V...

0.19€
+884 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 254
BCP55-16

BCP55-16

Transistor NPN BCP55-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 150 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5516. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP52-16. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.16€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 833
BCP56-10T1G

BCP56-10T1G

Transistor NPN BCP56-10T1G, SOT-223, 1A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Marquage du fabricant: BH-10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V...

0.33€
Quantité en stock: 809
BCP56-16

BCP56-16

Transistor NPN BCP56-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. FT: 180 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP56/16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP53-16. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.17€
+9133 rapidement
Quantité en stock: 318
BCP56-16T1G

BCP56-16T1G

Transistor NPN BCP56-16T1G, SOT-223, 1A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Marquage du fabricant: BH-10. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 1.5W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de transistor: NPN...

0.27€
+50 rapidement
Quantité en stock: 659
BCP56T1G

BCP56T1G

Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Bande passante MHz: 130MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Gain hFE min.: 25. Information: -. Marquage du fabricant: BH. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 1.5W. RoHS: oui. Série: BCP. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de montage: SMD. Type: transistor pour applications basse puissance...

0.27€
Quantité en stock: 1378
BCP68T1G

BCP68T1G

Transistor NPN BCP68T1G, SOT-223, 1A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V...

1.00€
Quantité en stock: 2810
BCR523

BCR523

Transistor NPN BCR523, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: XGs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V...

0.62€
Quantité en stock: 30147
BCR533

BCR533

Transistor NPN BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: XCs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 10k Ohms. Spec info: sérigraphie/code CMS XCs. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 1V...

0.0652€
+2817 rapidement
Quantité en stock: 2092
Minimum: 10
BCV29

BCV29

Transistor NPN BCV29, SOT-89, 500mA. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Marquage du fabricant: EF. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v...

0.17€
Quantité en stock: 149
BCW60RC-ZC

BCW60RC-ZC

Transistor NPN BCW60RC-ZC, SOT-23, 100mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BCW60RC. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.0533€
Quantité en stock: 895
Minimum: 10
BCX19LT1G-U1

BCX19LT1G-U1

Transistor NPN BCX19LT1G-U1, SOT-23, 500mA. Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: U1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.16€
Quantité en stock: 5766
BCX41E6327

BCX41E6327

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: transistor NPN. Applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: EKs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX42. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V...

0.19€
Quantité en stock: 226
BCX54-16

BCX54-16

Transistor NPN BCX54-16, SOT-89, 1A. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: BD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V...

0.33€
Quantité en stock: 3720
BCX55-16

BCX55-16

Transistor NPN BCX55-16, SOT-89, 1A. Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Marquage du fabricant: bM. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V...

0.29€
Quantité en stock: 1108
BCX56

BCX56

Transistor NPN BCX56, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. FT: 130 MHz. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: BH. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS BH. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.24€
Quantité en stock: 1351