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VS-30BQ060-M3-9AT

Diode VS-30BQ060-M3-9AT, SMC, DO-214AA, 3A. Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. If [A]: 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..20mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 1200A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.58V @ 3A...

VS-85HF120

Diode VS-85HF120, DO-5 (1/4-28 UNF-2A), DO-203AB, 85A. Boîtier: DO-5 (1/4-28 UNF-2A). Boîtier (norme JEDEC): DO-203AB. If [A]: 85A. Configuration: Vissé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 9mA. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 1700A. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Température maxi: +180°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 267A...

1N4001

1N5402

1N5404

Diode 1N5404, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 400V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 40pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 180A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Courant de fuite: 5uA. Courant: 30A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 1.5us. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.2V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.2V. Tension inverse maxi: 400V. Trr Diode (Min.): 5us. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5406

Diode 1N5406, DO-27, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 600V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Trr Diode (Min.): 5us. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A...

1N5408

1N5819

Diode 1N5819, DO-41, DO-204AL, 1A, 1A, 25A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 40V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AL. IF(AV): 1A. If [A]: 1A. IFSM: 25A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 55pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.5mA..10mA. Courant: 1A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Fonction: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 40A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Tension de seuil: 600mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.6V @ 1A...

1N5822

Diode 1N5822, DO-27, 3A, 80A, 3A, DO-27 ( 9.6x5.6mm ), 40V. Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.6x5.6mm ). VRRM: 40V. Cj: 250pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 80A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2mA..20mA. Courant: 3A. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Ifsm [A]: 150A. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.475V. Tension de seuil: 530mV. Tension inverse maxi: 40V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.95V @ 3A...

1N4002

1N4004

Diode 1N4004, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 400V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

1N4007

Diode 1N4007, DO-41, DO-204AC, 1A, 30A, 1A, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 1000V. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. If [A]: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 30A. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement standard. Ifsm [A]: 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 30Ap/8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 1kV, 1000V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A...

1N4148

1N4148W

1N4148WS

1N4448

Diode 1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.15A. Boîtier (norme JEDEC): -. IFSM: 0.45A. If [A]: 0.3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..5uA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA...

1N4937

BA157

BA159

BAS16LT1G

Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. If [A]: 0.2A. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite inverse: 1uA / 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..30uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 36A. Information: -. MSL: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Série: BAS. Temps de récupération inverse (max): 6ns. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil maxi: 1.25V / 0.15A. Type de diode: Switching. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 6 ns. [V]: 0.855V @ 50mA...

BAS28

Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Boîtier: SOT-143. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 215mA. If [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..50uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Commutation à haute vitesse. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: JTp. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Structure diélectrique: Indépendant. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA...

BAS40-04

Diode BAS40-04, SOT-23 ( TO-236 ), 0.2A, 0.12A, 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.2A. If [A]: 0.12A. IFSM: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: Diode Schottky. Montage en surface. Ifsm [A]: 0.2A. Marquage sur le boîtier: 44. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.5V @ 10mA...

BAT41

Diode BAT41, DO-35 ( SOD27 ), 0.1A, 0.75A, 0.1A, 0.1A, DO-35, 100V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Courant redressé moyen par diode: 0.1A. If [A]: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 2pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 750mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1uA..20uA. Famille de composants: Diode Schottky pour petits signaux. IRM (max): 20uA. IRM (min): 0.1uA. Ifsm [A]: 0.75A. Information: -. MSL: n/a. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 750mAp t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: BAT4. Temps de réaction: 5ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 0.45V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Tension de seuil Vf (max): 0.45V. Tension de seuil Vf (min): 0.4V. Tension de seuil: 450mV, 0.45V. Tension inverse maxi: 100V. Type de diode: diode de redressement Schottky. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.45V @ 1mA...

BAT46