Diode 1N4148WS, SOD-323, 100V, 0.15A, 150mA, 0.1A, 300mA, SOD-323F

Diode 1N4148WS, SOD-323, 100V, 0.15A, 150mA, 0.1A, 300mA, SOD-323F

Quantité
Prix unitaire
10-99
0.0321€
100-499
0.0273€
500-999
0.0231€
1000+
0.0174€
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Minimum: 10

Diode 1N4148WS, SOD-323, 100V, 0.15A, 150mA, 0.1A, 300mA, SOD-323F. Boîtier: SOD-323. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.15A. IF(AV): 150mA. If [A]: 0.1A. IFSM: 300mA. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. Autre nom: IN4148. Cj: 2pF. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite inverse: 25nA / 20V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Courant: 450mA. Dimensions: 1.7x1.25x1mm. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Fonction: Diodes haute vitesse. IRM (max): 1uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Information: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Série: 1N4148. Temps de réaction: 4ns. Temps de récupération inverse (max): 4ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Tension de seuil maxi: <1.0V / 0.1A. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 75V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 17/12/2025, 21:11

Documentation technique (PDF)
1N4148WS
47 paramètres
Boîtier
SOD-323
VRRM
100V
Courant redressé moyen par diode
0.15A
IF(AV)
150mA
If [A]
0.1A
IFSM
300mA
Boîtier (selon fiche technique)
SOD-323F
Autre nom
IN4148
Cj
2pF
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite inverse
25nA / 20V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
25nA..50uA
Courant
450mA
Dimensions
1.7x1.25x1mm
Famille de composants
Diode au silicium à petit signal
Fonction
Diodes haute vitesse
IRM (max)
1uA
IRM (min)
25nA
Ifsm [A]
2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A
Structure diélectrique
Anode-cathode
Série
1N4148
Temps de réaction
4ns
Temps de récupération inverse (max)
4ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
75V
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
0.715V
Tension de seuil maxi
<1.0V / 0.1A
Tension de seuil
1V
Tension inverse maxi
75V
Trr Diode (Min.)
4 ns
Type d'élément semi-conducteur
diode
Type de diode
diode de commutation
Type de montage
SMD
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
4 ns
[V]
1V @ 10mA
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor
Quantité minimum
10