Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

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Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Boîtier: SOT-143. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 215mA. If [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..50uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Commutation à haute vitesse. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: JTp. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Structure diélectrique: Indépendant. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 85V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01

Documentation technique (PDF)
BAS28
31 paramètres
Boîtier
SOT-143
IF(AV)
215mA
If [A]
0.215A
IFSM
1A
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-143
VRRM
85V
Cj
1.5pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
30nA..50uA
Famille de composants
double diode pour petits signaux
Fonction
Commutation à haute vitesse
Ifsm [A]
4A
Marquage sur le boîtier
JTp
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
4
Nombre de connexions
4
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.
Structure diélectrique
Indépendant
Température maxi
+150°C.
Température
+150°C
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
85V
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
0.715V
Trr Diode (Min.)
4 ns
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
4 ns
[V]
0.855V @ 10mA
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors
Quantité minimum
10