Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A

Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A

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Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 100V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. If [A]: 0.2A. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite inverse: 1uA / 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1uA..30uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Ifsm [A]: 36A. Information: -. MSL: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Série: BAS. Temps de récupération inverse (max): 6ns. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil maxi: 1.25V / 0.15A. Type de diode: Switching. Type de montage: SMD. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 6 ns. [V]: 0.855V @ 50mA. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:29

Documentation technique (PDF)
BAS16LT1G
22 paramètres
Boîtier
SOT-23
VRRM
100V
Courant redressé moyen par diode
0.2A
If [A]
0.2A
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite inverse
1uA / 100V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
1uA..30uA
Famille de composants
Diode pour petits signaux
Ifsm [A]
36A
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Série
BAS
Temps de récupération inverse (max)
6ns
Température maxi
+150°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
75V
Tension de seuil maxi
1.25V / 0.15A
Type de diode
Switching
Type de montage
SMD
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
6 ns
[V]
0.855V @ 50mA
Produit d'origine constructeur
Onsemi