Phototransistors et photo-diodes (réception)

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: rectangulaire, 5.08x4.44mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 880nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±25°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Longueur extérieure [mm]: 5.08mm. Largeur extérieure [mm]: 4.44mm. Épaisseur extérieure [mm]: 2.54mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 20V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 5nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 5 ns. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 9mm. Largeur extérieure [mm]: 5.1mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.1mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 20V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 5nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±20°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 5 ns. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 9mm. Largeur extérieure [mm]: 5.1mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.1mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. RoHS: non. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). lapos. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 20V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 10nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±75°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 5 ns. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Longueur extérieure [mm]: 5mm. Largeur extérieure [mm]: 5.9mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.9mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Photodiode PIN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Tension de fermeture Ur[V], max.: 32V. Courant de fermeture, courant d'obscurité Ir [µA]: 30nA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±60°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 20 ns. Diamètre extérieur [mm]: 5.1mm. Longueur extérieure [mm]: 6.9mm. Largeur extérieure [mm]: 5.1mm. Épaisseur extérieure [mm]: 5.1mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. Remarque: 860nm 24°

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 860nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Longueur extérieure [mm]: 5.2mm. Largeur extérieure [mm]: 4mm. Épaisseur extérieure [mm]: 4mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. Famille de composants: phototransistor infrarouge. Longueur d'onde: 730-1120nm. Angle de détection: 24°

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 900nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 7us. Délai de coupure tf [µsec.]: 7us. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Longueur extérieure [mm]: 5.2mm. Largeur extérieure [mm]: 4mm. Épaisseur extérieure [mm]: 4mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Récepteur IR. Courant de collecteur: 15mA. Ic(puls): 75mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-2. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Nombre de connexions: 2

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 3mm (T-1). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 570nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 6V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±30°. Diamètre extérieur [mm]: 3mm. Longueur extérieure [mm]: 4.4mm. Largeur extérieure [mm]: 3.2mm. Épaisseur extérieure [mm]: 3.2mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 3.5x2.8x1.75mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 940nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±60°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Délai de coupure tf [µsec.]: 6us. Longueur extérieure [mm]: 3.5mm. Largeur extérieure [mm]: 2.8mm. Épaisseur extérieure [mm]: 1.75mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C