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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V, P600, 10A - P1000M

Diode, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V, P600, 10A - P1000M
Quantité HT TTC
1 - 4 0.89€ 1.07€
5 - 9 0.85€ 1.02€
10 - 24 0.71€ 0.85€
25 - 49 0.70€ 0.84€
50 - 99 0.61€ 0.73€
100 - 249 0.59€ 0.71€
250 - 1081 0.52€ 0.62€
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Diode, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V, P600, 10A - P1000M. Diode, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V, P600, 10A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Boîtier: P600. Courant redressé moyen par diode: 10A. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.9V / 5A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 25uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Information: P1000M. Série: P1000. MSL: oui. Produit d'origine constructeur Diotec, Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 30/06/2025, 13:25.

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10A10

10A10

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (s...
10A10
Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V
10A10
Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V
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0.46€ TTC
(0.38€ HT)
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