Mémoire EEPROM DS24B33S-T-AMP;R

Mémoire EEPROM DS24B33S-T-AMP;R. Mémoire EEPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8-207mil. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: EEPROM série. Famille de circuits mémoire: 1-wire. Taille de la mémoire [octet]: 4 Kbit. Configuration de la mémoire: 16x256-bit. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 15.2kbit/s - 125kbit/s. Type d'interface: interface série, '1-Wire'. Tension d'alimentation mini (V): +2.8V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.25V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.