Diodes Zéner

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-35, DO-35, 62V, 0.5W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): DO-35. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 62V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 0.5W (25°C), 5%. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 44V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-35, DO-35, 8.2V, 0.5W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): DO-35. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 8.2V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 0.5W (25°C), 5%. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 6V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 4.5 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-35, DO-35, 9.1V, 0.5W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): DO-35. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 9.1V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 0.5W (25°C), 5%. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 7V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Diode Zéner, 1.3W, DO-41, DO-41, 100V. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. Tension Zéner: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode Zéner. Equivalences: Diotec ZYP100. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 2.6x4.8mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, 24V, DO-41. Tension Zéner: 24V. Boîtier: DO-41. Type de diode: Diode Zéner. Puissance: 1.3W

Diode Zéner, DO-35 ( SOD27 ), DO35, 29V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO35. Tension Zéner: 29V. Fonction: Z-IC. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-35, DO-204AH, 30..32V, 0.3W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AH. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 30..32V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. RoHS: non. Famille de composants: Diode Zéner. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 12 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -20°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, DO-35 ( SOD27 ), DO35, 33V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO35. Tension Zéner: 33V. Fonction: Z-IC. Remarque: -ITT. Remarque: compensé en température. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. VRRM: 32V

Diode Zéner, 9V, DO-35. Tension Zéner: 9V. Boîtier: DO-35. Type de diode: Diode Zéner. Puissance: 0.5W. Compensé en température: oui

Diode Zéner. IF(AV): 10.5mA. Remarque: filetage M4. Tolérance: 5%. VRRM: 36V

Diode Zéner. IF(AV): 40mA. Spec info: filetage M4. Tolérance: 5%. VRRM: 27V

Diode Zéner. IF(AV): 22mA. Remarque: filetage M4. Tolérance: 5%. VRRM: 47V

Diode Zéner. IF(AV): 20mA. Remarque: filetage M4. Tolérance: 5%. VRRM: 51V

Diode Zéner. IF(AV): 130mA. Remarque: filetage M4. Tolérance: 5%. VRRM: 8.2V

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-41, DO-204AC, 10V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 100V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 100V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 100V

Diode Zéner, DO-41, soudure sur circuit imprimé, DO-204AC, 110V, 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 110V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: non. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 50V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, DO-41, soudure sur circuit imprimé, DO-204AC, 12V, 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 12V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 120V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 120V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-41, DO-204AC, 13V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 13V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 130V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 130V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 130V

Diode Zéner, DO-41, 15V, 2W, DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Boîtier: DO-41. Tension Zéner: 15V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 150V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 150V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: Z150. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 150V

Diode Zéner, DO-41, soudure sur circuit imprimé, DO-204AC, 160V, 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 160V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: non. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 110 Ohms @ 5mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, DO-41, 18V, 2W, DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Boîtier: DO-41. Tension Zéner: 18V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C