Diodes Transils

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. IFSM: 400A. Nombre de connexions: 2. Tension de claquage: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 5000W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: P-600. Boîtier (selon fiche technique): P600 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (min): 3.5V

Diode Transil. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. IF(AV): 10000A. Capacité: 1.5pF. RoHS: oui. Remarque: max. Remarque: tension d'allumage 600V. Remarque: min. Unité de conditionnement: 350

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. Equivalences: BZG03C12G, BZG03C12TR. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension Zéner: 12V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. Equivalences: BZG03C150G, BZG03C150TR. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension Zéner: 150V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. Equivalences: BZG03C200G, BZG03C200TR. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC 5.5x2.8mm. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension Zéner: 200V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: protection contre les surtensions. Equivalences: BZG03C15G, BZG03C15TR. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension Zéner: 15V. Spec info: PZSM 600W (Tp=100us, 25°C)

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. IRM (max): 10uA. Nombre de connexions: 2. Tension de claquage: 10V. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension Zéner: 10V

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Nombre de connexions: 2. Tension de claquage: 12V. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolérance: 5%. Tension Zéner: 12V

Diode Transil. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Tension de claquage: 13V. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD57 (4.57x3.81mm). Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension Zéner: 13V

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: Zener-Diodes with Surge Current Specification. Nombre de connexions: 2. Tension de claquage: 130V. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tension Zéner: 130V

Diode Transil. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Nombre de connexions: 2. Tension de claquage: 15V. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Tolérance: 6 %. Tension Zéner: 15V

Diode Transil. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Tension de claquage: 150V. Dimensions: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Tolérance: 5%. Tension Zéner: 150V

Diode Transil. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: SOD57 Glass. Remarque: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. VRRM: 180V

Diode Transil. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: SOD57 Glass. Remarque: 6%, Vz.min 188 - Vz.max 212V. Remarque: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. VRRM: 200V

Diode Transil. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Tension de claquage: 22V. Dimensions: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass )

Diode Transil. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Dimensions: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD57 Glass. Tension Zéner: 24V. Divers: diode transil

Diode Transil. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: SOD57 Glass. Remarque: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. VRRM: 36V

Diode Transil. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: SOD57 Glass. Remarque: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. VRRM: 39V

Diode Transil. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: SOD57 Glass. Remarque: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. VRRM: 43V

Diode Transil. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Tension de claquage: 47V. Dimensions: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD57 Glass. Tension Zéner: 47V

Diode Transil. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Remarque: SOD57 Glass. Remarque: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. VRRM: 7.5V

Diode Transil. Structure diélectrique: unidirectionnel. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode zéner, protection contre les surtensions. Dimensions: 4.57x3.81mm. Dissipation de puissance maxi: 3.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD57 Glass. Tension Zéner: 8.2V

Diode Transil. RoHS: oui. Famille de composants: Suppresseur unidirectionnel de la série BZW 06 (600 W à 1 msec.). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 10.2V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Type de suppresseur transitoire: unidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Diode Transil. RoHS: non. Famille de composants: Suppresseur bidirectionnel de la série BZW 06 (600 W à 1 msec.). Boîtier: DO-15. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 10.2V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Type de suppresseur transitoire: bidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 11.4V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 12V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 12.6V @ 1mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 10.2V. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Diode Transil. RoHS: non. Famille de composants: Diode transil de suppression des transitoires. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Tension de maintien du sens de fermeture [V]: 11.1V. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Type de suppresseur transitoire: bidirectionnel. Ubr [V] @ Ibr [A]: 12.4V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 13V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 13.7V @ 1mA. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 11.1V. Dissipation maximale (impulsion) Pp [W] @ t[msec.]: 600W @ 1ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C