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Semi-conducteurs Diodes
Diodes standard et de redressement

Diodes standard et de redressement

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VS-8TQ100-M3

VS-8TQ100-M3

Diode, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîti...
VS-8TQ100-M3
Diode, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (min): 0.72V
VS-8TQ100-M3
Diode, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (min): 0.72V
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2.08€ TTC
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WNS40100CQ

WNS40100CQ

Diode, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (se...
WNS40100CQ
Diode, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky de puissance. IRM (max): 30mA. IRM (min): 50uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.71V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode
WNS40100CQ
Diode, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky de puissance. IRM (max): 30mA. IRM (min): 50uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.71V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode
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1.67€ TTC
(1.39€ HT)
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YG911S2

YG911S2

Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: plastique. R...
YG911S2
Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: plastique. Remarque: 0402-000491. Remarque: 50Ap / 10ms
YG911S2
Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: plastique. Remarque: 0402-000491. Remarque: 50Ap / 10ms
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4.39€ TTC
(3.66€ HT)
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