Diode VS-12F120

Diode VS-12F120. Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. IRM (max): 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.77V. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Remarque: filetage M5. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.