Diode BYV38

Diode BYV38. Diode. Cj: 15pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Date de production: 2013/40. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.