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Diode BYT52M

Diode BYT52M
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Diode BYT52M. Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation rapide. IF(AV): 1.4A. IFSM: 50A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

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Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide pour un rendement élevé. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Diode. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement à haut rendement. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms
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Diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. VRRM: 1000V
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Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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