Diode BYT30P-1000

Diode BYT30P-1000. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. IRM (max): 5mA. IRM (min): 100uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Remarque: partie métallique reliée à la cathode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=10ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.