Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 85V, 200mA, 500mA - BAV199

Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 85V, 200mA, 500mA - BAV199. Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 85V, 200mA, 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 0.6us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: double diode à faible fuite. Date de production: 2014/49. IRM (max): 80nA. IRM (min): 5nA. Marquage sur le boîtier: JYs. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 13:25.