Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.37€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.43€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.41€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.38€ |
100 - 249 | 0.31€ | 0.37€ |
250 - 499 | 0.30€ | 0.36€ |
500 - 901 | 0.29€ | 0.35€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.37€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.43€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.41€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.38€ |
100 - 249 | 0.31€ | 0.37€ |
250 - 499 | 0.30€ | 0.36€ |
500 - 901 | 0.29€ | 0.35€ |
Diode BAS45A. Diode. Cj: 4pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1.5us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode à faible fuite. IF(AV): 250mA. IFSM: 1A. Remarque: faible courant inverse. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 125V. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.
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