Diode 80EBU04

Diode 80EBU04. Diode. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 80A. IFSM: 800A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. VRRM: 400V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.