Diode 60APU02-N3

Diode 60APU02-N3. Diode. Cj: 87pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 60A. IFSM: 800A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: 60APU02. Equivalences: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.08V. Tension de seuil Vf (min): 0.98V. VRRM: 200V. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.