Diode 40HFR80

Diode 40HFR80. Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.