Quantité (Lot de 5) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 2 | 0.79€ | 0.95€ |
3 - 4 | 0.75€ | 0.90€ |
5 - 9 | 0.71€ | 0.85€ |
10 - 19 | 0.67€ | 0.80€ |
20 - 49 | 0.39€ | 0.47€ |
50 - 99 | 0.37€ | 0.44€ |
100 - 2891 | 0.34€ | 0.41€ |
Quantité (Lot de 5) | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 0.79€ | 0.95€ |
3 - 4 | 0.75€ | 0.90€ |
5 - 9 | 0.71€ | 0.85€ |
10 - 19 | 0.67€ | 0.80€ |
20 - 49 | 0.39€ | 0.47€ |
50 - 99 | 0.37€ | 0.44€ |
100 - 2891 | 0.34€ | 0.41€ |
Diode 1N4149TR. Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 4A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 10mA. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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