Circuit intégré. Fonction: 'Efficient Power MOSFET and IGBT Switching'. Remarque: 4A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers. Remarque: haute vitesse. Remarque: tr 9ns, tf 8ns (Cload=1000pF Vcc=18v). Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+125°C. VCC: 4.5...35V. Tension d'alimentation (op): 40V