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Diode BAT86S

Diode BAT86S
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1 - 9 0.26€ 0.31€
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Diode BAT86S. Diode. Cj: 8pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 10000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. IRM (max): 5uA. Marquage sur le boîtier: BTA86S. Nombre de connexions: 2. Température: +125°C. Dimensions: 3.9x1.6mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

Produits équivalents :

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BAT86-133

BAT86-133

Diode. Cj: 8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.):...
BAT86-133
Diode. Cj: 8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Remarque: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 1.6x3.04 ). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms
BAT86-133
Diode. Cj: 8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. IF(AV): 0.2A. IFSM: 5A. Remarque: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-34 ( SOD68 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-34 ( 1.6x3.04 ). Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 900mV. Tension de seuil Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms
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