Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.46€
5-9
4.17€
10-29
3.93€
30-59
3.72€
60+
3.30€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 17

Transistor NPN 2SC5386, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: MONITOR Hi-res. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5386
28 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PF
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
1.7 MHz
Fonction
High Switching, Horizontal Deflection out
Gain hFE maxi
35
Gain hFE mini
4.3
Ic(puls)
16A
Marquage sur le boîtier
C5386
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
MONITOR Hi-res
Technologie
'Triple Diffused MESA Type'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
3V
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
30
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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