Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.59€
5-9
7.81€
10-19
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20+
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Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 10. Spec info: VEBO 6V. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 30. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
KSC5386TU
30 paramètres
Courant de collecteur
7A
Boîtier
TO-3PF (SOT399)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PF
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Conditionnement
tube en plastique
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
kHz
Fonction
High Switching 0.1us
Gain hFE maxi
22
Gain hFE mini
8
Ic(puls)
16A
Marquage sur le boîtier
C5386
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance BE
10
Spec info
VEBO 6V
Technologie
'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
4.2V
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
30
Vcbo
1500V
Vebo
6V