Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Boîtier: TO-247. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 280A. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Courant de collecteur: 70A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 290W. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Ic(T=100°C): 40A. Ic(puls): 280A. Marquage du fabricant: 20N60A4D. Marquage sur le boîtier: 20N60A4D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 73 ns. Td(on): 15 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:29