Transistor canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V

Transistor canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
11.83€
5-9
10.95€
10-29
9.89€
30+
9.13€
Quantité en stock: 55

Transistor canal N HGTG30N60A4D, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 240A. Courant de collecteur Ic [A]: 75A. Courant de collecteur: 75A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 463W. Dissipation maximale Ptot [W]: 463W. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Ic(puls): 240A. Marquage du fabricant: G30N60A4. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:29

Documentation technique (PDF)
HGTG30N60A4D
38 paramètres
Boîtier
TO-247
Ic(T=100°C)
60A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247 ( AC )
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant crête collecteur Ip [A]
240A
Courant de collecteur Ic [A]
75A
Courant de collecteur
75A
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
463W
Dissipation maximale Ptot [W]
463W
Délai de coupure tf[nsec.]
150 ns
Famille de composants
transistor IGBT
Fonction
SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod
Ic(puls)
240A
Marquage du fabricant
G30N60A4
Marquage sur le boîtier
30N60A4D
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Td(off)
150 ns
Td(on)
25 ns
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
25 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uce [V]
600V
Tension de rupture de grille Ugs [V]
7V
Tension de saturation VCE(sat)
1.8V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
4.5V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
7V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Trr Diode (Min.)
30 ns
Type de canal
N
Unité de conditionnement
30
Produit d'origine constructeur
Fairchild