Transistor canal N YTAF630, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Advanced Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:51