Transistor canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Transistor canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.34€
5-24
1.15€
25-49
0.97€
50-99
0.89€
100+
0.79€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 435

Transistor canal N P50N03LD, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 15m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1200pF. C (out): 600pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 150A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Niko-semi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
P50N03LD
26 paramètres
Id (T=100°C)
35A
Id (T=25°C)
50A
Idss
25uA
Idss (maxi)
50A
Résistance passante Rds On
15m Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( D-PAK )
Tension Vds(max)
20V
C (in)
1200pF
C (out)
600pF
Dissipation de puissance maxi
50W
Fonction
Mode d'amélioration du niveau logique
Id(imp)
150A
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
40 ns
Td(on)
6 ns
Technologie
Transistor à effet de champ
Trr Diode (Min.)
70 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Niko-semi

Produits équivalents et/ou accessoires pour P50N03LD