Transistor canal N IPD50N03S2L-06, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 27uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1900pF. C (out): 760pF. Dissipation de puissance maxi: 136W. Fonction: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: PN03L06. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45