Transistor canal N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK)

Transistor canal N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK)

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.75€
5-24
1.52€
25-49
1.37€
50-99
1.28€
100+
1.14€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 88

Transistor canal N P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). Id (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-263 (D2PAK). C (in): 2780pF. C (out): 641pF. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. Id(imp): 100A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Niko-semi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

P50N03A-SMD
22 paramètres
Id (T=25°C)
50A
Idss
50uA
Idss (maxi)
50A
Résistance passante Rds On
5.1M Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-263 (D2PAK)
C (in)
2780pF
C (out)
641pF
Dissipation de puissance maxi
59.5W
Id(imp)
100A
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
35 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
Transistor à effet de champ
Trr Diode (Min.)
34 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Niko-semi

Produits équivalents et/ou accessoires pour P50N03A-SMD