Transistor canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.52€
5-49
0.39€
50-99
0.36€
100+
0.33€
Quantité en stock: 1482

Transistor canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Dissipation de puissance maxi: 12mA. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 12mA. Marquage sur le boîtier: 22*. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
BF545C
26 paramètres
Id (T=25°C)
25mA
Idss (maxi)
25mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
1.7pF
C (out)
0.8pF
Dissipation de puissance maxi
12mA
Fonction
HF-VHF
IGF
10mA
Idss (min)
12mA
Marquage sur le boîtier
22*
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
non
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
Transistor à effet de champ à jonction silicium
Température
+150°C
Tension grille/source VGS (off) max.
7.8V
Tension grille/source VGS (off) min.
3.2V
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
N
Type de transistor
JFET
Produit d'origine constructeur
Fairchild