Transistor canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Transistor canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Quantité
Prix unitaire
1-1
11.91€
2-4
11.91€
5-24
10.19€
25-49
9.30€
50+
7.61€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 29

Transistor canal N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 48A. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 48m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 8440pF. C (out): 1775pF. Dissipation de puissance maxi: 312W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 88N30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: 'Enhancement-mode Power MOSFET'. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AP88N30W
31 paramètres
Id (T=100°C)
48A
Id (T=25°C)
48A
Idss (maxi)
200uA
Résistance passante Rds On
48m Ohms
Boîtier
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3P
Tension Vds(max)
300V
C (in)
8440pF
C (out)
1775pF
Dissipation de puissance maxi
312W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
160A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
88N30W
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
220 ns
Td(on)
50 ns
Technologie
'Enhancement-mode Power MOSFET'
Température de fonctionnement
-55°C...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
300 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Advanced Power

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