Transistor canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Transistor canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Quantité
Prix unitaire
1-4
13.91€
5-14
12.88€
15-29
12.12€
30+
11.35€
Quantité en stock: 36

Transistor canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Dissipation de puissance maxi: 600W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:04

Documentation technique (PDF)
IXTQ88N30P
30 paramètres
Id (T=100°C)
75A
Id (T=25°C)
88A
Idss (maxi)
1mA
Résistance passante Rds On
40m Ohms
Boîtier
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3P
Tension Vds(max)
300V
C (in)
6300pF
C (out)
950pF
Dissipation de puissance maxi
600W
Fonction
N-Channel Enhancement Mode
Id(imp)
220A
Idss (min)
100uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
96 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
PolarHT Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
250 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Produit d'origine constructeur
IXYS